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1 重掺杂多晶硅-锗膜的电特性 1994 06
2 制作硅-锗器件的超高真空化学汽相淀积工艺 1994 05
3 用于先进器件金属化的铜膜的低压化学汽相淀积 1994 04
4 用于功率器件的P型厚高阻外延片 1994 03
5 用于硅表面低温钝化的阳极二氧化硅膜的优化 1994 03
6 用气体分子流预喷射进行低温硅外延 1994 04
7 用聚酰亚胺膜选择CVD-W在局部互连中的应用 1994 04
8 用各向异性反应离子刻蚀和择优湿腐蚀测定硅上SiC薄膜… 1994 03
9 用电子回旋共振等离子淀积非晶硅 1994 04
10 用低压化学汽相淀积制备TiO_2薄膜 1994 03
11 Ce_xSi_(1-x)应变层的电和光带隙 1994 03
12 p型硅外延层电阻率的控制 1994 04
13 SIMOX中的氧化堆垛层错与用硅片粘合获得绝缘体上硅… 1994 04
14 采用原位磷掺杂和大晶粒多晶硅发射极接触的64GHzf… 1994 02
15 多晶硅膜及其薄发射极退火特性的研究 1994 02
16 高速发展的汽车电子技术 1994 06
17 高阻硅中深能级与少子寿命的研究 1994 03
18 硅片直接键合结构的界面电荷控制 1994 02
19 激光区熔再结晶制作的SOI结构中杂质分布和迁移率分布… 1994 02
20 接触边缘钨选择化学汽相淀积损伤的表征 1994 03
21 铝-CVD金钢石-硅结构的电特性 1994 02
22 氢钝化硅表面自然氧化物的生长机理 1994 06
23 三端可调稳压器的PSpice宏模型 1994 02
24 原子力显微镜观察硅外延片的表面白雾缺陷 1995 04
25 一种评估旋转式机械设备工况的方法 1995 03
26 微电子制造科学与技术计划中的硅片清洗 1995 04
27 半绝缘多晶硅薄膜的制备与应用 1995 01
28 SOI器件应用展望 1995 01
29 Si的化学自停止腐蚀方法的研究 1995 04
30 PECVDSiO_2和SiON薄膜的工艺优化及其应用 1995 05
31 低温下在电子回旋共振等离子中制备SiGe栅氧化物 1995 01
32 硅上自然氧化物的表征和控制 1995 02
33 硅片键合界面的吸杂效应 1995 05
34 硅的电化学自致停腐蚀研究 1995 03
35 扫描隧道显微镜的新型实时图像处理系统 1995 05
36 Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触失效机理的研… 1996 04
37 BESOI薄膜的缺陷分析和应力研究 1996 03
38 CMOS/SOI的高温特性分析 1996 03
39 SiC材料、器件及其应用前景 1996 04
40 SIPOS/Si异质结特性的研究 1996 02
41 SOI/SIMOX材料导电类型反型的研究 1996 03
42 TFT有源矩阵α-Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究 1996 06
43 半导体界面分析新技术 1996 02
44 超导/半导兼容材料的制作及性能分析 1996 02
45 硅外延层电阻率测量值一致性研究 1996 03
46 铝硅合金表面纳米颗粒的原子力显微镜观察 1996 01
47 全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展 1996 03
48 微波扫描移相器在电光采样系统中的应用 1997 02
49 钨硅/砷化镓肖特基接触的热稳定性分析 1997 02
50 重掺杂P型Si_(1-x)Ge_x层中少数载流子浓度… 1999 05
51 专用集成电路推动航空电子的革命 1999 03
52 用前反馈剩余补偿提高转换器分辨率的研究 1999 05
53 线性容差电路的K故障模糊屏蔽定位 1999 01
54 新型红外硅微电流光电池的研制 1999 04
55 5~12V推挽式开关电容DC-DC变换器的性能分析 1999 04
56 高精度集成稳压器零电压调整系数研究 1999 01
57 硅微机械陀螺接口检测技术的研究 1999 05
58 计程测速电路的在系统可编程器件的实现 1999 02
59 纳米硅薄膜与纳米电子学 1999 06
60 Si_(1-x)Ge_x/Si多层异质外延结构的研究 2000 04
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