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1
重掺杂多晶硅-锗膜的电特性
1994
06
2
制作硅-锗器件的超高真空化学汽相淀积工艺
1994
05
3
用于先进器件金属化的铜膜的低压化学汽相淀积
1994
04
4
用于功率器件的P型厚高阻外延片
1994
03
5
用于硅表面低温钝化的阳极二氧化硅膜的优化
1994
03
6
用气体分子流预喷射进行低温硅外延
1994
04
7
用聚酰亚胺膜选择CVD-W在局部互连中的应用
1994
04
8
用各向异性反应离子刻蚀和择优湿腐蚀测定硅上SiC薄膜…
1994
03
9
用电子回旋共振等离子淀积非晶硅
1994
04
10
用低压化学汽相淀积制备TiO_2薄膜
1994
03
11
Ce_xSi_(1-x)应变层的电和光带隙
1994
03
12
p型硅外延层电阻率的控制
1994
04
13
SIMOX中的氧化堆垛层错与用硅片粘合获得绝缘体上硅…
1994
04
14
采用原位磷掺杂和大晶粒多晶硅发射极接触的64GHzf…
1994
02
15
多晶硅膜及其薄发射极退火特性的研究
1994
02
16
高速发展的汽车电子技术
1994
06
17
高阻硅中深能级与少子寿命的研究
1994
03
18
硅片直接键合结构的界面电荷控制
1994
02
19
激光区熔再结晶制作的SOI结构中杂质分布和迁移率分布…
1994
02
20
接触边缘钨选择化学汽相淀积损伤的表征
1994
03
21
铝-CVD金钢石-硅结构的电特性
1994
02
22
氢钝化硅表面自然氧化物的生长机理
1994
06
23
三端可调稳压器的PSpice宏模型
1994
02
24
原子力显微镜观察硅外延片的表面白雾缺陷
1995
04
25
一种评估旋转式机械设备工况的方法
1995
03
26
微电子制造科学与技术计划中的硅片清洗
1995
04
27
半绝缘多晶硅薄膜的制备与应用
1995
01
28
SOI器件应用展望
1995
01
29
Si的化学自停止腐蚀方法的研究
1995
04
30
PECVDSiO_2和SiON薄膜的工艺优化及其应用
1995
05
31
低温下在电子回旋共振等离子中制备SiGe栅氧化物
1995
01
32
硅上自然氧化物的表征和控制
1995
02
33
硅片键合界面的吸杂效应
1995
05
34
硅的电化学自致停腐蚀研究
1995
03
35
扫描隧道显微镜的新型实时图像处理系统
1995
05
36
Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触失效机理的研…
1996
04
37
BESOI薄膜的缺陷分析和应力研究
1996
03
38
CMOS/SOI的高温特性分析
1996
03
39
SiC材料、器件及其应用前景
1996
04
40
SIPOS/Si异质结特性的研究
1996
02
41
SOI/SIMOX材料导电类型反型的研究
1996
03
42
TFT有源矩阵α-Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究
1996
06
43
半导体界面分析新技术
1996
02
44
超导/半导兼容材料的制作及性能分析
1996
02
45
硅外延层电阻率测量值一致性研究
1996
03
46
铝硅合金表面纳米颗粒的原子力显微镜观察
1996
01
47
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展
1996
03
48
微波扫描移相器在电光采样系统中的应用
1997
02
49
钨硅/砷化镓肖特基接触的热稳定性分析
1997
02
50
重掺杂P型Si_(1-x)Ge_x层中少数载流子浓度…
1999
05
51
专用集成电路推动航空电子的革命
1999
03
52
用前反馈剩余补偿提高转换器分辨率的研究
1999
05
53
线性容差电路的K故障模糊屏蔽定位
1999
01
54
新型红外硅微电流光电池的研制
1999
04
55
5~12V推挽式开关电容DC-DC变换器的性能分析
1999
04
56
高精度集成稳压器零电压调整系数研究
1999
01
57
硅微机械陀螺接口检测技术的研究
1999
05
58
计程测速电路的在系统可编程器件的实现
1999
02
59
纳米硅薄膜与纳米电子学
1999
06
60
Si_(1-x)Ge_x/Si多层异质外延结构的研究
2000
04
-
1
2
-
2006版权所有
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