人工晶体学报－论文列表


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论文列表 >>> 人工晶体学报

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1	镀膜金刚石的耐热性及其镀层作用机制	1994	03
2	镀膜金刚石与基体的界面反应及其界面结合特征	1994	04
3	溅射制备铁电薄膜及其性能测试的研究	1994	04
4	燃烧火焰法沉积金刚石膜的生长特性	1994	04
5	陶瓷基材上金刚石薄膜的微观结构与界面研究	1994	04
6	8～14μm红外波段的窗口材料	1995	04
7	碘化汞单晶生长原料的提纯	1995	03
8	热丝CVD金刚石薄膜Auger电子能谱分析	1995	01
9	陶瓷靶材对铁电薄膜的成分、结构和性能的影响	1995	01
10	微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜研究	1996	02
11	Mo涂层的立方氮化硼（cBN）与玻化陶瓷复合烧结体的…	1996	01
12	灯丝形变对金刚石薄膜沉积的影响	1996	04
13	等离子体CVD金刚石薄膜衬底正偏压增强成核效应机理研…	1996	02
14	电子辅助热丝CVD法合成金刚石膜	1996	01
15	过量PbO对PLZT（14／0／100）薄膜结构和性…	1996	02
16	热丝法CVD在75Si－Fe上沉积金刚石膜	1996	02
17	溶胶凝胶法制备Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜及…	1996	01
18	在H_2-CH_4-CO_2气相系统中沉积金刚石薄膜	1997	02
19	直流热阴级PCVD法制备金刚石膜的研究	1997	Z1
20	硬质合金上沉积金刚石膜提高粘结力的研究	1997	01
21	优质细颗粒金刚石单晶(170～400目)生长工艺条件…	1997	Z1
22	100mmY系高温靶材及制备工艺	1997	Z1
23	CVD金刚石膜声学特性的激光超声研究	1997	Z1
24	Al_2O_3透明多晶薄膜材料结构的XPS表征	1997	Z1
25	半导体金刚石单晶薄膜研究进展	1997	Z1
26	半导体材料室温热导率测试装置的研制	1997	Z1
27	半导体材料的现状和发展趋势	1997	Z1
28	巴基管涂层金刚石薄膜的成核率与生长速率研究	1997	01
29	ZnSe基半导体材料的低压MOCVD生长	1997	Z1
30	ZnCdTe-ZnTe多量子阱的激子线增宽	1997	Z1
31	PLD方法制备的Ce∶BaTiO_3薄膜的电学及电光…	1997	Z1
32	N含量对天然金刚石塑性变形的影响	1997	Z1
33	L-B膜中功能化合物插入及晶体生长研究进展	1997	02
34	k组元Fibonacci多层膜的光学性质的研究	1997	Z1
35	单晶金刚石在软压头条件下的塑性变形	1997	Z1
36	定向金刚石薄膜的“分送”热丝法生长	1997	01
37	低压MOCVD ZnSeTe ZnSe多量子阱的制备…	1997	Z1
38	等离子体增强热丝CVD法生长cBN薄膜中的衬底效应	1997	Z1
39	氮化硼薄膜沉积中的相变化研究	1997	Z1
40	高温高压条件下叶蜡石对金刚石单晶生长的影响	1997	Z1
41	高温超导薄膜单晶基片——NdAlO_3晶体	1997	Z1
42	化学气相沉积金刚石薄膜生长动力学模型	1997	01
43	国外金刚石与立方氮化硼的新品种分析	1997	Z1
44	光折变Zn:Fe:LiNbO_3晶体用于图象边缘增强…	1997	02
45	两面顶装置合成的金刚石特性研究	1997	Z1
46	近两年NSF资助人工晶体基金项目的概述	1997	02
47	金刚石-碳化钨烧结体研制	1997	Z1
48	金刚石共价键及其杂化轨道的形成与硬—超硬材料晕圈图和…	1997	Z1
49	配合-沉淀法制备半导体硫化物超微粉末	1997	Z1
50	水晶生长过程中热电偶冷端补偿的常用方法	1997	01
51	声光滤光器参数的计算和探讨	1997	Z1
52	在以Cu/Re镀膜为过渡层的铁衬底上沉积金刚石膜	1999	03
53	用于晶体生长过程中溶液浓度实时测量的变压器型电导仪	1999	04
54	稀释气体Ar对金刚石薄膜沉积质量的影响	1999	04
55	PCVD氮化硼膜形成过程及表面形貌的分析	1999	02
56	从两面顶、六面顶、凹模的特点论我国合成金刚石装备大型…	1999	01
57	掺杂C_(60)薄膜的制备及光电特性	1999	04
58	材料科普园地一亮葩——评新书《绚丽多彩的新材料》	1999	02
59	不同衬底材料上金刚石薄膜成核特点的研究	1999	03
60	负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究	1999	01

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