半导体情报－论文列表


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时事报告

1	2英寸高均匀性GaAs多层外延材料	1994	06
2	fmax为66GHz的HBT	1994	05
3	FT─IR技术在半导体材料中的应用	1994	03
4	GaAs　MESFET非线性CAD模型综述	1994	03
5	LP－MOCVD生长InGaAs／GaAs量子阱	1994	06
6	PECVDSiN及其在GaAsMESFET中的应用第…	1994	02
7	半导体微结构材料的发展	1994	02
8	高击穿电压InAIAs／n~＋－InGaAs HFE…	1994	04
9	航空电子学用的多芯片组件的现状	1994	01
10	磷化铟晶体生长技术的现状及其发展趋势	1994	02
11	砷化镓能为我们做些什么？──记1993年GaAs　I…	1994	03
12	在β－SiC薄膜上热生长SiO＿2薄膜的高频电容－电…	1995	05
13	迅速发展的SiC半导体技术	1995	05
14	GaAsMESFET和DHEMT的中子辐射效应研究	1995	04
15	AlN基板与金属化层界面的分析电镜研究	1995	03
16	AlInAs／GaINAsHBTIC技术	1995	02
17	SiC接触的电学和化学特性	1995	05
18	MOCVD生长带有MQB的量子阱激光器材料	1995	04
19	MBE法生长的调制掺杂GaAs／Al＿xGa＿（1－…	1995	01
20	电力器件用的6H－SiC、3C－SiC和Si的比较	1995	05
21	低介电常数陶瓷复合基板材料	1995	06
22	高热导AlN──新型陶瓷基片及封装材料	1995	01
23	光致发光测定6H－SiC中的氮掺杂浓度	1995	05
24	关于多孔硅发光的研究进展	1995	06
25	利用氟化气体和氧气的混和物进行SiC薄膜的反应离子刻…	1995	05
26	蓬勃发展的GaAs MMIC──1994 IEEE …	1995	01
27	使用超薄硅界面控制层钝化暴露在空气中的InGaAs表…	1995	02
28	英国要推进GaAs技术	1996	03
29	2英寸GaAs快速热退火技术研究	1996	01
30	750℃下用低压化学汽相沉积在Si上外延生长单晶Si…	1996	03
31	薄片半绝缘GaAs测试方法的研究	1996	03
32	电子电镀技术的回顾与展望	1996	03
33	方块电阻测试中的有限元理论	1996	06
34	负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展	1996	06
35	化合物半导体异质结微波和高速器件的研究和发展	1996	04
36	局部氧化的SiC器件的等平面隔离技术	1996	03
37	纳米级掺杂超晶格的生长及其性质研究	1996	04
38	欧洲计划联合开发8in　SOI晶片	1996	03
39	汽压控制直拉法生长Ⅲ－Ⅴ族材料的生长与特性──与标准…	1996	03
40	强磁场增强反应离子腐蚀实验研究	1996	01
41	全自动反应离子腐蚀3英寸GaAs片实验研究	1996	06
42	用AES/XPS对异质结材料的研究	1997	06
43	微机电系统实验建模研究	1997	05
44	微机械惯性仪表的原理结构与制造技术	1997	02
45	微机械及其特性	1997	02
46	微型振动陀螺仪	1997	04
47	微型涡轮和微型齿轮泵的研制	1997	06
48	下世纪初微电子机械系统的发展	1997	02
49	GaN材料生长研究	1997	05
50	大信号有源器件S参数测试方法研究	1997	03
51	采用三维光刻技术制造集成柔性微执行器	1997	02
52	表面微机械加工中分离微机械结构的新方法	1997	02
53	分子束外延研究进展	1997	03
54	非掺SI-GaAs单晶热处理的研究	1997	05
55	镍表面微机械加工	1997	02
56	提高GaAs晶体质量的一种重要手段	1997	04
57	锁相技术在超声波发生器中的应用	1997	05
58	通用于GaAs MESFET和HEMT的精确I_(d…	1997	04
59	真空紫外光直接光CVD SiO_2膜的偏压温度处理	1998	03
60	真空紫外光直接光CVD SiO_2膜的偏压温度处理	1998	03

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