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半导体杂志
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1
一种简单的防火报警装置
1994
02
2
InGaAs/InP短时间液相外延层厚度与生长时间的…
1994
03
3
PTC过流保护元件的研究
1994
01
4
单晶硅材料补偿度的确定
1994
04
5
多孔硅的发光机制综述
1994
02
6
高质量的硅量子线
1994
03
7
毫米波半导体器件与其外延材料的发展
1994
03
8
砷化镓(GaAs)半导体器件、单晶的现状及发展动向
1994
04
9
增强吸杂的研究
1995
03
10
有机半导体直产生非本征光电导过程中激子行为的描述
1995
03
11
Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触失效机理的研…
1995
04
12
半导体薄膜自身的力敏参数的测量
1995
04
13
PtSi/Si整流接触的研究
1995
03
14
分形论的产生、发展及其在半导体中的应用(2)
1995
02
15
过渡金属氧化物半导体薄膜的光子学特性及其应用
1995
04
16
硅单晶直径进一步增大愈来愈困难
1995
03
17
宽禁带半导体金刚石材料与功率器件
1995
03
18
金属/半导体材料中的分形结构
1995
03
19
砷化镓(GaAs)材料质量表征技术的新进展
1995
04
20
GaAs/Si外延pn结构及其电学、光电和电致发光性…
1996
02
21
SiC半导体材料与器件(2)
1996
02
22
半导体材料与器件九十年代最新进展
1996
02
23
智能介质膜厚度测试仪的研制
1997
02
24
1995~2010年VLSI/ULSI对原始硅材料的…
1997
03
25
钝化膜抗γ辐照的研究
1997
04
26
等离子体氧化锗膜的抛物线生长规律及氮化改性
1997
04
27
高质量非晶硅锗材料的研制
1997
02
28
非晶硅锗单结电池的研究
1997
03
29
霍尔测试估计含氮直拉硅单晶中的氧施主
1997
02
30
加湿器的可调湿度测控器电路设计
1997
03
31
积分C-V法测量杂质纵向分布均匀的硅外延层电阻率
1997
02
32
用椭圆偏振光谱精确确定半导体材料临界点的位置
1998
03
33
用椭圆偏振光谱精确确定半导体材料临界点的位置
1998
03
34
4英寸<111>硅单晶制备中的“断棱”与“掉苞”问题
1998
03
35
4英寸<111>硅单晶制备中的“断棱”与“掉苞”问题
1998
03
36
BGA封装在台湾的发展状况
1998
01
37
BGA封装在台湾的发展状况
1998
01
38
CFZ单晶的生产及特点
1998
03
39
CFZ单晶的生产及特点
1998
03
40
La-Ca-Mn-O薄膜的巨磁效应
1998
03
41
La-Ca-Mn-O薄膜的巨磁效应
1998
03
42
薄膜迭层四端电池试验
1998
03
43
薄膜迭层四端电池试验
1998
03
44
掺氮6H-SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析
1998
04
45
掺氮6H-SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析
1998
04
46
倒装——锡球栅列封装介绍
1998
02
47
倒装——锡球栅列封装介绍
1998
02
48
反应离化团束沉积技术及其在薄膜制备中的应用
1998
02
49
反应离化团束沉积技术及其在薄膜制备中的应用
1998
02
50
绿色太阳能电池
1998
02
51
绿色太阳能电池
1998
02
52
双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体
1998
03
53
双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体
1998
03
54
透明导电膜中光吸收边的移动
1998
03
55
透明导电膜中光吸收边的移动
1998
03
56
一种半导体器件绝缘保护材料的应用研究
1999
02
57
相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜
1999
04
58
CZSi中Ge增强氧外扩散现象
1999
04
59
Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析(1)
1999
01
60
Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析(2)
1999
02
-
1
2
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2006版权所有
科技论文网