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   论文列表 >>> 半导体杂志
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1 一种简单的防火报警装置 1994 02
2 InGaAs/InP短时间液相外延层厚度与生长时间的… 1994 03
3 PTC过流保护元件的研究 1994 01
4 单晶硅材料补偿度的确定 1994 04
5 多孔硅的发光机制综述 1994 02
6 高质量的硅量子线 1994 03
7 毫米波半导体器件与其外延材料的发展 1994 03
8 砷化镓(GaAs)半导体器件、单晶的现状及发展动向 1994 04
9 增强吸杂的研究 1995 03
10 有机半导体直产生非本征光电导过程中激子行为的描述 1995 03
11 Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触失效机理的研… 1995 04
12 半导体薄膜自身的力敏参数的测量 1995 04
13 PtSi/Si整流接触的研究 1995 03
14 分形论的产生、发展及其在半导体中的应用(2) 1995 02
15 过渡金属氧化物半导体薄膜的光子学特性及其应用 1995 04
16 硅单晶直径进一步增大愈来愈困难 1995 03
17 宽禁带半导体金刚石材料与功率器件 1995 03
18 金属/半导体材料中的分形结构 1995 03
19 砷化镓(GaAs)材料质量表征技术的新进展 1995 04
20 GaAs/Si外延pn结构及其电学、光电和电致发光性… 1996 02
21 SiC半导体材料与器件(2) 1996 02
22 半导体材料与器件九十年代最新进展 1996 02
23 智能介质膜厚度测试仪的研制 1997 02
24 1995~2010年VLSI/ULSI对原始硅材料的… 1997 03
25 钝化膜抗γ辐照的研究 1997 04
26 等离子体氧化锗膜的抛物线生长规律及氮化改性 1997 04
27 高质量非晶硅锗材料的研制 1997 02
28 非晶硅锗单结电池的研究 1997 03
29 霍尔测试估计含氮直拉硅单晶中的氧施主 1997 02
30 加湿器的可调湿度测控器电路设计 1997 03
31 积分C-V法测量杂质纵向分布均匀的硅外延层电阻率 1997 02
32 用椭圆偏振光谱精确确定半导体材料临界点的位置 1998 03
33 用椭圆偏振光谱精确确定半导体材料临界点的位置 1998 03
34 4英寸<111>硅单晶制备中的“断棱”与“掉苞”问题 1998 03
35 4英寸<111>硅单晶制备中的“断棱”与“掉苞”问题 1998 03
36 BGA封装在台湾的发展状况 1998 01
37 BGA封装在台湾的发展状况 1998 01
38 CFZ单晶的生产及特点 1998 03
39 CFZ单晶的生产及特点 1998 03
40 La-Ca-Mn-O薄膜的巨磁效应 1998 03
41 La-Ca-Mn-O薄膜的巨磁效应 1998 03
42 薄膜迭层四端电池试验 1998 03
43 薄膜迭层四端电池试验 1998 03
44 掺氮6H-SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析 1998 04
45 掺氮6H-SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析 1998 04
46 倒装——锡球栅列封装介绍 1998 02
47 倒装——锡球栅列封装介绍 1998 02
48 反应离化团束沉积技术及其在薄膜制备中的应用 1998 02
49 反应离化团束沉积技术及其在薄膜制备中的应用 1998 02
50 绿色太阳能电池 1998 02
51 绿色太阳能电池 1998 02
52 双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体 1998 03
53 双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体 1998 03
54 透明导电膜中光吸收边的移动 1998 03
55 透明导电膜中光吸收边的移动 1998 03
56 一种半导体器件绝缘保护材料的应用研究 1999 02
57 相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜 1999 04
58 CZSi中Ge增强氧外扩散现象 1999 04
59 Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析(1) 1999 01
60 Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析(2) 1999 02
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