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半导体学报
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高分子通报
宽厚板
1
注入光敏三极管的基本特性和分析
1994
09
2
优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n~-/n~+/p…
1994
06
3
用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs
1994
01
4
用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co-Si化合物薄膜…
1994
08
5
用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光…
1994
04
6
形成优质Si~+注入SI—GaAs层的研究
1994
01
7
稀土Er离子注入InP的退火及发光特性
1994
04
8
为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
1994
09
9
微氮硅单晶中氧沉滨
1994
06
10
(Pt及其硅化物)/硅界面的深能级研究
1994
03
11
Ⅲ族锢源对LP-MOVPE方法生长In_(1-x)G…
1994
06
12
CdSe/ZnTe超晶格微观界面模的多声子喇曼光谱研…
1994
03
13
Co、Ti/Si_(1-x)Ge_x薄膜快速退火固相…
1994
08
14
Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜
1994
04
15
CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制
1994
08
16
CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺…
1994
08
17
EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探
1994
05
18
GaAs/AlGaAs 多量子阱红外探测器材料研究
1994
02
19
GaAs/AlGaAs单量子阱中界面粗糙度散射
1994
05
20
GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究
1994
10
21
GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析
1994
02
22
GaAs表面等离激元偏振子的激励以及它的偏光依赖性
1994
06
23
ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究
1994
03
24
InGaAsSb四元固溶体的团簇效应
1994
10
25
MOCVD过程中回流现象的数值模拟
1994
04
26
MOS结构低温负偏压温度不稳定性
1994
04
27
Nb/C_(60)/p型Si结构的特性
1994
10
28
pH-ISFET 输出时漂特性的研究
1994
12
29
SiGe/Si量子阱结构材料的激子发光谱
1994
03
30
Zn-Se-Te 三元系富Te区的液固平衡以及ZnS…
1994
12
31
半导体温差发电器性能的优化分析
1994
02
32
超高真空CVD极低温低压硅外延与高分辨TEM分析研究
1994
12
33
低温分子束外延GaAS薄膜的研究
1994
05
34
多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究
1994
10
35
多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光
1994
08
36
非晶薄膜晶化的频谱研究
1994
11
37
高开关比(I_(on)/I_(off))a-Si T…
1994
02
38
硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合
1994
01
39
硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究
1994
06
40
红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制
1994
11
41
聚合物膜中CdS超微粒的制备及光物理性质研究
1994
12
42
离子辐照对多孔硅性质的影响
1994
08
43
离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除
1994
11
44
利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜
1994
04
45
利用STM观察Si(100)微斜面的表面结构
1994
07
46
利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究
1994
09
47
纳米硅薄膜界面结构的微观特征
1994
01
48
硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性
1994
06
49
铍注入锑化铟快速热退火的研究
1994
01
50
氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面的杂质/缺陷…
1994
06
51
染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性
1994
10
52
三元合金 (GaSb)_(1-x)Ge_(2x),(…
1994
02
53
砷化镓声电荷输运的二维互作用模型
1994
07
54
真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性…
1995
04
55
自对准硅化物CMOS/SOI技术研究
1995
04
56
用低能离子束淀积技术在硅(111)衬底上生长氧化铈外…
1995
02
57
用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子…
1995
01
58
用脉冲腐蚀制备发光多孔硅
1995
02
59
用强流金属离子源研究Ti-Si化合物的形成
1995
03
60
用射频偏压溅射制备的具有快速紫外光响应的ZnO薄膜
1995
10
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1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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