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   论文列表 >>> 半导体学报
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安全与环境学报
高分子通报
宽厚板
1 注入光敏三极管的基本特性和分析 1994 09
2 优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n~-/n~+/p… 1994 06
3 用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs 1994 01
4 用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co-Si化合物薄膜… 1994 08
5 用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光… 1994 04
6 形成优质Si~+注入SI—GaAs层的研究 1994 01
7 稀土Er离子注入InP的退火及发光特性 1994 04
8 为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型 1994 09
9 微氮硅单晶中氧沉滨 1994 06
10 (Pt及其硅化物)/硅界面的深能级研究 1994 03
11 Ⅲ族锢源对LP-MOVPE方法生长In_(1-x)G… 1994 06
12 CdSe/ZnTe超晶格微观界面模的多声子喇曼光谱研… 1994 03
13 Co、Ti/Si_(1-x)Ge_x薄膜快速退火固相… 1994 08
14 Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜 1994 04
15 CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制 1994 08
16 CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺… 1994 08
17 EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探 1994 05
18 GaAs/AlGaAs 多量子阱红外探测器材料研究 1994 02
19 GaAs/AlGaAs单量子阱中界面粗糙度散射 1994 05
20 GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究 1994 10
21 GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析 1994 02
22 GaAs表面等离激元偏振子的激励以及它的偏光依赖性 1994 06
23 ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究 1994 03
24 InGaAsSb四元固溶体的团簇效应 1994 10
25 MOCVD过程中回流现象的数值模拟 1994 04
26 MOS结构低温负偏压温度不稳定性 1994 04
27 Nb/C_(60)/p型Si结构的特性 1994 10
28 pH-ISFET 输出时漂特性的研究 1994 12
29 SiGe/Si量子阱结构材料的激子发光谱 1994 03
30 Zn-Se-Te 三元系富Te区的液固平衡以及ZnS… 1994 12
31 半导体温差发电器性能的优化分析 1994 02
32 超高真空CVD极低温低压硅外延与高分辨TEM分析研究 1994 12
33 低温分子束外延GaAS薄膜的研究 1994 05
34 多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究 1994 10
35 多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光 1994 08
36 非晶薄膜晶化的频谱研究 1994 11
37 高开关比(I_(on)/I_(off))a-Si T… 1994 02
38 硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合 1994 01
39 硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究 1994 06
40 红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制 1994 11
41 聚合物膜中CdS超微粒的制备及光物理性质研究 1994 12
42 离子辐照对多孔硅性质的影响 1994 08
43 离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除 1994 11
44 利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜 1994 04
45 利用STM观察Si(100)微斜面的表面结构 1994 07
46 利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究 1994 09
47 纳米硅薄膜界面结构的微观特征 1994 01
48 硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性 1994 06
49 铍注入锑化铟快速热退火的研究 1994 01
50 氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面的杂质/缺陷… 1994 06
51 染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性 1994 10
52 三元合金 (GaSb)_(1-x)Ge_(2x),(… 1994 02
53 砷化镓声电荷输运的二维互作用模型 1994 07
54 真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性… 1995 04
55 自对准硅化物CMOS/SOI技术研究 1995 04
56 用低能离子束淀积技术在硅(111)衬底上生长氧化铈外… 1995 02
57 用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子… 1995 01
58 用脉冲腐蚀制备发光多孔硅 1995 02
59 用强流金属离子源研究Ti-Si化合物的形成 1995 03
60 用射频偏压溅射制备的具有快速紫外光响应的ZnO薄膜 1995 10
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