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半导体技术
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1
直接键合硅片的亲水处理
1994
06
2
用Te、Sn双掺杂改善GaAs液相外延层载流子浓度纵…
1994
02
3
赝三元系半导体致冷材料及器件的研制
1994
02
4
新型的SOI技术
1994
03
5
温度梯度下磷在硅中的扩散
1994
06
6
ECV与PVS技术在InP系列多层异质外延材料测试中…
1994
03
7
PECVDSi_3N_4钝化工艺的正交优化
1994
03
8
SiC器件基本制备工艺的原理与发展现状
1994
02
9
半导体材料
1994
04
10
半导体硅材料与信息化社会的发展
1994
06
11
半导体硅特性显微FTIR测量技术研究
1994
03
12
半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究
1994
06
13
玻璃粉中硼、钾、钠的ICP-AES测定
1994
06
14
常压SiCl_4CVDSiGe外延膜分析研究
1994
01
15
导电聚合物──新型半导体器件材料
1994
03
16
等离子过程引起的Si-SiO_2结构损伤评估
1994
02
17
多孔硅发光机制的量子理论
1994
03
18
硅片氧含量径向不均匀性问题
1994
01
19
硅中Ge对硅片机械强度的影响
1994
05
20
金刚石多晶薄膜和硅异质结研究
1994
03
21
具有热稳定性的Ge/Ni/TiWN/Au与n-GaA…
1994
05
22
埋层图形横向位移对器件参数影响的研究
1994
05
23
轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻
1994
03
24
声学显微镜及在电子器件工业中的应用
1994
01
25
圆片缺陷检测设备
1995
04
26
“3CT103K”型可控硅在电力仪表中的应用
1995
06
27
InGaAsP/InP异质外延材料X射线衍射摇摆曲线…
1995
05
28
GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光
1995
01
29
SiC材料与器件
1995
05
30
SiC半导体材料与器件
1995
01
31
MOS级盐酸和硝酸中钠的ICP发射光谱法测定的研究
1995
04
32
测试p-n结结电容新法
1995
02
33
采用12MeV电子辐照技术制造高反压大功率开关晶体管
1995
03
34
非晶半导体发展及应用
1995
05
35
立方氮化硼薄膜的研制
1995
05
36
纳米硅薄膜的特点及其制备技术
1995
05
37
热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析
1995
03
38
提高硅CVD外延参数的新技术研究
1995
01
39
再谈经典四探针测试方法中圆片边界修正系数
1996
04
40
用电化学C-V技术研究Ga In P/GaAs异质结…
1996
04
41
新型半导体薄膜材料的研究与进展
1996
03
42
200kHz、75kW SIT逆变器
1996
02
43
C_(60)-有机半导体异质结
1996
01
44
半导体技术的新领域──掺稀土元素半导体材料
1996
06
45
采用表面技术改善气敏薄膜特性
1996
04
46
氮化物半导体的制备及其应用
1996
03
47
等离子氨化硅应力的研究
1996
03
48
电子辐照CZ-Si单晶的深能级
1996
05
49
电子束蒸发二氧化硅薄膜在Si/Si_(1-x)Ge_…
1996
02
50
多晶硅超自对准技术在双极超高速器件工艺中的研究
1996
03
51
多孔硅的形成及其在表面微机械技术中的应用
1996
06
52
多孔硅的形成与电流电压特性研究
1996
01
53
二氯二氢硅终端纯化器的研制
1996
06
54
非晶硅太阳电池效率研究
1996
05
55
硅/硅直接键合SDB硅片的减薄研究
1996
01
56
硅化结形成技术
1996
05
57
红外热像法无损分析硅片直接键合界面的键合强度
1996
02
58
金刚石镶嵌非晶碳膜的场致电子发射研究
1996
05
59
扩展电阻探针在硅材料研究上的应用
1996
06
60
内燃结构氢氧合成氧化不均匀的原因及对策
1996
03
-
1
2
3
4
5
-
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