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1 直接键合硅片的亲水处理 1994 06
2 用Te、Sn双掺杂改善GaAs液相外延层载流子浓度纵… 1994 02
3 赝三元系半导体致冷材料及器件的研制 1994 02
4 新型的SOI技术 1994 03
5 温度梯度下磷在硅中的扩散 1994 06
6 ECV与PVS技术在InP系列多层异质外延材料测试中… 1994 03
7 PECVDSi_3N_4钝化工艺的正交优化 1994 03
8 SiC器件基本制备工艺的原理与发展现状 1994 02
9 半导体材料 1994 04
10 半导体硅材料与信息化社会的发展 1994 06
11 半导体硅特性显微FTIR测量技术研究 1994 03
12 半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究 1994 06
13 玻璃粉中硼、钾、钠的ICP-AES测定 1994 06
14 常压SiCl_4CVDSiGe外延膜分析研究 1994 01
15 导电聚合物──新型半导体器件材料 1994 03
16 等离子过程引起的Si-SiO_2结构损伤评估 1994 02
17 多孔硅发光机制的量子理论 1994 03
18 硅片氧含量径向不均匀性问题 1994 01
19 硅中Ge对硅片机械强度的影响 1994 05
20 金刚石多晶薄膜和硅异质结研究 1994 03
21 具有热稳定性的Ge/Ni/TiWN/Au与n-GaA… 1994 05
22 埋层图形横向位移对器件参数影响的研究 1994 05
23 轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻 1994 03
24 声学显微镜及在电子器件工业中的应用 1994 01
25 圆片缺陷检测设备 1995 04
26 “3CT103K”型可控硅在电力仪表中的应用 1995 06
27 InGaAsP/InP异质外延材料X射线衍射摇摆曲线… 1995 05
28 GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光 1995 01
29 SiC材料与器件 1995 05
30 SiC半导体材料与器件 1995 01
31 MOS级盐酸和硝酸中钠的ICP发射光谱法测定的研究 1995 04
32 测试p-n结结电容新法 1995 02
33 采用12MeV电子辐照技术制造高反压大功率开关晶体管 1995 03
34 非晶半导体发展及应用 1995 05
35 立方氮化硼薄膜的研制 1995 05
36 纳米硅薄膜的特点及其制备技术 1995 05
37 热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析 1995 03
38 提高硅CVD外延参数的新技术研究 1995 01
39 再谈经典四探针测试方法中圆片边界修正系数 1996 04
40 用电化学C-V技术研究Ga In P/GaAs异质结… 1996 04
41 新型半导体薄膜材料的研究与进展 1996 03
42 200kHz、75kW SIT逆变器 1996 02
43 C_(60)-有机半导体异质结 1996 01
44 半导体技术的新领域──掺稀土元素半导体材料 1996 06
45 采用表面技术改善气敏薄膜特性 1996 04
46 氮化物半导体的制备及其应用 1996 03
47 等离子氨化硅应力的研究 1996 03
48 电子辐照CZ-Si单晶的深能级 1996 05
49 电子束蒸发二氧化硅薄膜在Si/Si_(1-x)Ge_… 1996 02
50 多晶硅超自对准技术在双极超高速器件工艺中的研究 1996 03
51 多孔硅的形成及其在表面微机械技术中的应用 1996 06
52 多孔硅的形成与电流电压特性研究 1996 01
53 二氯二氢硅终端纯化器的研制 1996 06
54 非晶硅太阳电池效率研究 1996 05
55 硅/硅直接键合SDB硅片的减薄研究 1996 01
56 硅化结形成技术 1996 05
57 红外热像法无损分析硅片直接键合界面的键合强度 1996 02
58 金刚石镶嵌非晶碳膜的场致电子发射研究 1996 05
59 扩展电阻探针在硅材料研究上的应用 1996 06
60 内燃结构氢氧合成氧化不均匀的原因及对策 1996 03
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