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半导体光电
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1
在(311)面上所生长的Al_xGa_(1-x)As…
1994
02
2
128×128元IRCCD成像技术
1994
04
3
4096位线阵CCPD摄像器件
1994
04
4
600×500元帧转移CCD摄像器件
1994
04
5
CCD高温钢坯动态测长仪信号处理系统
1994
04
6
GaN薄膜异质外延制备技术的进展
1994
04
7
InGaAsP及其量子阱结构的LP-MOCVD
1994
02
8
LiNbO_3衬底上电子束蒸发集成光学钛薄膜
1994
02
9
MSM光电探测器研究现状
1994
03
10
半导体材料的霍耳测量
1994
04
11
半导体低维材料中的超快速激光光谱研究进展
1994
02
12
大点阵数二维Dammann光栅的制作与研究
1994
01
13
多晶薄膜CdS/CdTe太阳电池
1994
04
14
光电池新的等效电路
1994
01
15
光纤陀螺的研究现状与发展趋势
1994
02
16
汽油机缸内瞬时温度和空燃比的光电测量方法与装置
1994
02
17
雪崩探测器用硅材料中微缺陷的初步探讨
1995
01
18
16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺
1995
01
19
1.3μmInGaAsP/InPLD,SLD和LED…
1995
02
20
SMA同轴封装高速光电探测器
1995
01
21
金刚石薄膜的结构特征与电导率的相关性
1995
04
22
平面型Gunn器件低温SiO_2淀积
1995
04
23
弱光位敏探测器
1995
01
24
人造参考星系统设计
1995
03
25
太阳电池的效率分析
1995
01
26
双层CdS/CdSe光电导薄膜的制作和光电特性
1995
02
27
在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶
1996
01
28
用于红外探测的铱硅化物的X射线光电子能谱
1996
04
29
用5晶(7晶)X射线衍线仪研究半导体薄膜材料
1996
04
30
新的光电方程组
1996
01
31
InP中皮秒快速现象
1996
02
32
LP-MOCVD生长InGaN单晶薄膜
1996
02
33
MIS电容器的平带电容的计算
1996
01
34
低温退火工艺对柔性基上ITO膜透光率的影响
1996
01
35
改进器件工艺降低硅光电探测器暗电流
1996
02
36
光敏蛋白菌紫质分子及其在光信息处理中的应用
1996
01
37
硅微透镜阵列
1996
02
38
国外硅单晶质量研究进展(续Ⅰ)
1996
04
39
快速热退火提高应变InAs/InP量子阱结构的晶体质…
1996
04
40
离子镀光学薄膜的等离子体物理过程
1996
01
41
一种新型的PIP电容器的设想及其理论分析
1997
06
42
一种新型用于覆铜板生产线的在线厚度测量系统
1997
06
43
用OTCS方法测量InP:Fe中的深能级
1997
04
44
用催化CVD法研制优质a-Si薄膜
1997
06
45
用于粒子场图像速度分析的新型光源装置
1997
04
46
有机/聚合物双异质结发光二极管
1997
02
47
InP表面等离子体CVD淀积SiO_2膜的界面结构及…
1997
02
48
HgCdTe表面氧化特性
1997
04
49
GaAs的中子嬗变掺杂
1997
03
50
Co-PTC陶瓷基复合材料的复合效应
1997
03
51
20倍数显式投影仪
1997
02
52
背电场硅太阳能电池离子辐照效应
1997
01
53
SiGe外延层中硼注入和退火
1997
05
54
多孔硅吸收光谱和反射光谱
1997
02
55
低压压电陶瓷相移器及其在电子散斑干涉计量中的应用
1997
05
56
国外硅单晶质量研究进展(续Ⅱ)
1997
01
57
国外硅单晶质量研究进展(续Ⅲ)
1997
02
58
光盘光学拾音器技术的现状与发展
1997
06
59
聚苯胺光学吸收及应用
1997
03
60
扫描近场光学显微镜有源光纤探针的研制
1997
04
-
1
2
3
4
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