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   论文列表 >>> 半导体光电
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1 在(311)面上所生长的Al_xGa_(1-x)As… 1994 02
2 128×128元IRCCD成像技术 1994 04
3 4096位线阵CCPD摄像器件 1994 04
4 600×500元帧转移CCD摄像器件 1994 04
5 CCD高温钢坯动态测长仪信号处理系统 1994 04
6 GaN薄膜异质外延制备技术的进展 1994 04
7 InGaAsP及其量子阱结构的LP-MOCVD 1994 02
8 LiNbO_3衬底上电子束蒸发集成光学钛薄膜 1994 02
9 MSM光电探测器研究现状 1994 03
10 半导体材料的霍耳测量 1994 04
11 半导体低维材料中的超快速激光光谱研究进展 1994 02
12 大点阵数二维Dammann光栅的制作与研究 1994 01
13 多晶薄膜CdS/CdTe太阳电池 1994 04
14 光电池新的等效电路 1994 01
15 光纤陀螺的研究现状与发展趋势 1994 02
16 汽油机缸内瞬时温度和空燃比的光电测量方法与装置 1994 02
17 雪崩探测器用硅材料中微缺陷的初步探讨 1995 01
18 16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺 1995 01
19 1.3μmInGaAsP/InPLD,SLD和LED… 1995 02
20 SMA同轴封装高速光电探测器 1995 01
21 金刚石薄膜的结构特征与电导率的相关性 1995 04
22 平面型Gunn器件低温SiO_2淀积 1995 04
23 弱光位敏探测器 1995 01
24 人造参考星系统设计 1995 03
25 太阳电池的效率分析 1995 01
26 双层CdS/CdSe光电导薄膜的制作和光电特性 1995 02
27 在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶 1996 01
28 用于红外探测的铱硅化物的X射线光电子能谱 1996 04
29 用5晶(7晶)X射线衍线仪研究半导体薄膜材料 1996 04
30 新的光电方程组 1996 01
31 InP中皮秒快速现象 1996 02
32 LP-MOCVD生长InGaN单晶薄膜 1996 02
33 MIS电容器的平带电容的计算 1996 01
34 低温退火工艺对柔性基上ITO膜透光率的影响 1996 01
35 改进器件工艺降低硅光电探测器暗电流 1996 02
36 光敏蛋白菌紫质分子及其在光信息处理中的应用 1996 01
37 硅微透镜阵列 1996 02
38 国外硅单晶质量研究进展(续Ⅰ) 1996 04
39 快速热退火提高应变InAs/InP量子阱结构的晶体质… 1996 04
40 离子镀光学薄膜的等离子体物理过程 1996 01
41 一种新型的PIP电容器的设想及其理论分析 1997 06
42 一种新型用于覆铜板生产线的在线厚度测量系统 1997 06
43 用OTCS方法测量InP:Fe中的深能级 1997 04
44 用催化CVD法研制优质a-Si薄膜 1997 06
45 用于粒子场图像速度分析的新型光源装置 1997 04
46 有机/聚合物双异质结发光二极管 1997 02
47 InP表面等离子体CVD淀积SiO_2膜的界面结构及… 1997 02
48 HgCdTe表面氧化特性 1997 04
49 GaAs的中子嬗变掺杂 1997 03
50 Co-PTC陶瓷基复合材料的复合效应 1997 03
51 20倍数显式投影仪 1997 02
52 背电场硅太阳能电池离子辐照效应 1997 01
53 SiGe外延层中硼注入和退火 1997 05
54 多孔硅吸收光谱和反射光谱 1997 02
55 低压压电陶瓷相移器及其在电子散斑干涉计量中的应用 1997 05
56 国外硅单晶质量研究进展(续Ⅱ) 1997 01
57 国外硅单晶质量研究进展(续Ⅲ) 1997 02
58 光盘光学拾音器技术的现状与发展 1997 06
59 聚苯胺光学吸收及应用 1997 03
60 扫描近场光学显微镜有源光纤探针的研制 1997 04
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